Fosfuro de galio | |
__ Ga __ P Estructura del fosfuro de galio |
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Identificación | |
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Nombre IUPAC | Fosfuro de galio |
N o CAS | |
N o ECHA | 100,031,858 |
N o CE | 235-057-2 |
Sonrisas |
[Ga] #P , |
InChI |
InChI: InChI = 1 / Ga.P / rGaP / c1-2 |
Apariencia | cristales naranjas |
Propiedades químicas | |
Fórmula bruta |
Ga P [isómeros] |
Masa molar | 100,697 ± 0,001 g / mol Ga 69,24%, P 30,76%, |
Propiedades físicas | |
T ° fusión | 1480 ° C (1753 K) |
Solubilidad | insoluble en agua |
Densidad | 4.1 |
Propiedades electronicas | |
Banda prohibida | 2,24 eV a 300 K |
Propiedades ópticas | |
Índice de refracción | 3.411 |
Precauciones | |
NFPA 704 | |
3 3 2 W | |
Directiva 67/548 / CEE | |
Xi Símbolos : Xi : Irritante Frases R : R36 / 37/38 : Irrita los ojos, la piel y las vías respiratorias. Frases S : S25 : Evítese el contacto con los ojos. S37 : Úsese guantes adecuados. Frases R : 36/37/38, Frases S : 25, 37, |
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Unidades de SI y STP a menos que se indique lo contrario. | |
El fosfuro de galio , GaP , es un compuesto binario semiconductor tipo III-V , compuesto de fósforo y galio .
Como el arseniuro de galio, el fosfuro de galio tiene una estructura cristalográfica del tipo " blenda ".