Nacimiento |
18 de abril de 1882 Lviv |
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Muerte |
28 de agosto de 1963(en 81) Charlotte Amalie |
Nacionalidades |
Estadounidense austro-húngaro |
Capacitación | Universidad Humboldt de Berlín |
Ocupaciones | Físico , ingeniero , inventor , profesor universitario |
Trabajé para | Universidad de Leipzig |
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Campo | Físico |
Director de tesis | Max Planck |
Julius Edgar Lilienfeld , nacido el18 de abril de 1882en Lemberg , (en Austria-Hungría ), murió el28 de agosto de 1963en Charlotte Amalie ( Islas Vírgenes ), emigrado a los Estados Unidos en 1927 , es un físico e inventor austrohúngaro .
Lilienfeld se graduó ( Ph.D. ) de la Friedrich Wilhelms Universität (rebautizada como Universidad Humboldt en Berlín desde 1946), la18 de febrero de 1905. A partir de esa fecha trabajó en el Instituto de Física de la Universidad de Leipzig , donde se interesó por la producción de gases líquidos. En 1910 obtuvo su habilitación con como tema: La transmisión de electricidad en el vacío extremo . En 1927, huyendo del auge del antisemitismo , emigró a Estados Unidos donde ya había realizado varias estancias por su trabajo.
Entre otras cosas, inventó el transistor y el condensador electrolítico en la década de 1920 , y presentó varias patentes que describen la construcción y el funcionamiento de transistores. Aunque los procesos descritos en estas patentes son teóricamente operativos, no hay evidencia de que alguna vez se hayan realizado y puesto en servicio en este momento. Sin embargo, contienen muchas características específicas de los transistores modernos. Cuando Brattain , Bardeen y Shockley , los primeros en operar un transistor, quisieron registrar una patente sobre su invención, se les negó en muchos puntos debido a la existencia de las patentes de Lilienfeld.
De hecho, en 1925, JE Lilienfeld presentó una patente en la que describía un elemento bastante cercano al transistor MOS (cf. su trabajo entre 1925 y 1930) y que podría haber constituido el primer transistor de la historia. Pero la historia de la ciencia y la tecnología ha favorecido el camino bipolar de Brattain , Bardeen y Shockley . Por lo tanto, no fue hasta principios de la década de 1960 para ver la aparición de las primeras aplicaciones MOS industriales, cuyo desarrollo había sido posible gracias a los avances registrados en el campo de los transistores bipolares y, en particular, a la resolución de problemas de interfaz óxido-semiconductor. Hoy el transistor MOS constituye, por su sencillez de fabricación y sus dimensiones, el elemento fundamental de los circuitos integrados digitales y de nuestros ordenadores actuales.