Telururo de zinc | ||
Célula elemental de un cristal de telururo de zinc (arriba) y apariencia visual (abajo). | ||
Identificación | ||
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N o CAS | ||
N o ECHA | 100,013,874 | |
PubChem | ||
Sonrisas |
[TeH + 2] 12 [ZnH2-2] [TeH + 2] 3 [ZnH2-2] [TeH + 2] ([ZnH-2] 14) [ZnH-2] 1 [Te + 2] 5 ([ZnH -2] 38) [Zn-2] 26 [TeH + 2] 2 [ZnH-2] ([Te + 2] 4) [TeH + 2] 1 [ZnH2-2] [TeH + 2] 3 [ZnH- 2] 2 [Te + 2] [ZnH-2] ([TeH + 2] 6 [ZnH-2] ([TeH + 2]) [TeH + 2] 68) [TeH + 2] ([ZnH2-2] 6) [ZnH-2] 35 , |
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Apariencia | cristales rojos | |
Propiedades químicas | ||
Fórmula bruta |
Te Zn |
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Masa molar | 192,98 ± 0,05 g / mol Te 66,12%, Zn 33,89%, |
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Propiedades físicas | ||
T ° fusión | 1568 ° C | |
Densidad | 6,34 g / cm 3 | |
Conductividad térmica | 108 mW cm −1 K −1 | |
Termoquímica | ||
C p | 264 J kg −1 K −1 ) | |
Propiedades electronicas | ||
Banda prohibida | 2,26 eV | |
Movilidad electrónica | 340 cm 2 V −1 s −1 | |
Cristalografía | ||
Sistema de cristal | Cúbico | |
Clase de cristal o grupo espacial | F 4 3m | |
Estructura típica | Esfaleritis (blenda) | |
Parámetros de malla | 610.1 pm | |
Propiedades ópticas | ||
Índice de refracción | 3,56 | |
Compuestos relacionados | ||
Otros cationes |
Telururo de cadmio Telururo de mercurio |
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Otros aniones |
Óxido de zinc Sulfuro de zinc Seleniuro de zinc |
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Otros compuestos | ||
Unidades de SI y STP a menos que se indique lo contrario. | ||
El telururo de zinc es un compuesto químico de fórmula binaria ZnTe. Este sólido es un material semiconductor II-VI, que tiene un espacio directo de 2,26 eV . Suele ser un semiconductor de tipo p . Como la mayoría de los materiales semiconductores compuestos, tiene una estructura de tipo " blende ".
ZnTe tiene la apariencia de un polvo gris o rojo pardusco, o cristales rojo rubí cuando se refina por sublimación. El telururo de zinc suele tener una estructura cristalina cúbica (" blenda "), pero también se puede obtener en forma de cristales tipo NaCl o cristales hexagonales (" wurtzita "). Irradiado por un haz óptico de alta intensidad, arde en presencia de oxígeno. Su parámetro de celosía es de 0,6101 nm, lo que le permite depositarse con o sobre el antimonuro de aluminio , el antimonuro de galio , el arseniuro de indio y el seleniuro de plomo . Con cierta distorsión de la celosía, también se puede depositar sobre otros sustratos como GaAs y se puede producir como una película delgada policristalina (o nanocristalina) sobre sustratos como el vidrio, por ejemplo, en la fabricación de células solares de película delgada . En la estructura cristalina de la wurtzita (hexagonal), sus parámetros cristalinos son a = 0,427 yc = 0,699 nm .
La estructura de ZnTe evoluciona bajo el efecto de una presión muy fuerte con una transición de fase hacia una estructura de cinabrio de coordinación 4 observada a 11,5 GPa.
El telururo de zinc se puede dopar fácilmente y, por esta razón, es uno de los materiales semiconductores más comunes utilizados en optoelectrónica . ZnTe es importante para el desarrollo de varios componentes semiconductores, incluidos LED azules, diodos láser , células solares y componentes de generadores de microondas . Se puede utilizar para células solares , por ejemplo, como capa de superficie posterior o como material semiconductor de tipo p en una estructura de CdTe / ZnTe o en la estructura de diodos PIN .
El material también se puede utilizar como componente de compuestos semiconductores ternarios, como Cd x Zn (1-x) Te (conceptualmente una mezcla de los polos puros ZnTe y CdTe), que se pueden producir con una composición variable x para permitir ajustar el espacio óptico.
El telururo de zinc con niobato de litio se utiliza a menudo para la generación de radiación pulsada de terahercios en espectroscopia de tiempo de terahercios y en imágenes de terahercios . Cuando un cristal de dicho material se somete a un pulso de luz de alta intensidad de duración subpicosegundo, emite un pulso de frecuencia de terahercios a través de un fenómeno óptico no lineal llamado rectificación óptica . Asimismo, cuando un cristal de telururo de zinc se somete a radiación de terahercios, provoca un fenómeno de birrefringencia óptica y cambia la polarización de la luz transmitida, convirtiéndolo en un detector electroóptico.
El telururo de zinc dopado con vanadio , "ZnTe: V", es un material óptico fotorrefractivo no lineal que se puede utilizar en la protección de sensores en longitudes de onda visibles . Los limitadores ópticos ZnTe: V son ligeros y compactos, sin la óptica compleja de los limitadores convencionales. ZnTe: V puede bloquear el haz deslumbrante de alta intensidad de un deslumbramiento láser , mientras pasa la imagen de baja intensidad de la escena observada. También se puede utilizar en interferometría holográfica , en interconexiones ópticas reconfigurables y en dispositivos láser de fase óptica conjugada . Ofrece un mejor rendimiento fotorrefractivo en longitudes de onda entre 600 y 1300 nm , en comparación con otros compuestos semiconductores III-V y II-VI. Añadiendo manganeso como dopante adicional (ZnTe: V: Mn), su rendimiento fotorrefractivo puede mejorarse significativamente.