El MODFET ( transistor de efecto de campo de dopaje modulado ) o transistor de efecto de campo dopado de modulación es un tipo de transistor de efecto de campo (FET). También se conoce como HEMT ( transistor de alta movilidad de electrones ) o transistor de electrones de alta movilidad . Al igual que otros FET, los MODFET se utilizan en circuitos integrados como conmutadores digitales.
Un MODFET consta de una heterounión de tipo I ( SiGe / Ge , AlGaN / InGaN , AlInAs / GaInAs , GaInAs / AlGaAs , AlGaAs / AlGa , etc.). La heterounión está formada por varias capas de diferentes dopajes: una capa del material con el espacio más pequeño (GaAs para el MODFET de AlGaAs / GaAs por ejemplo) fuertemente dopado (n + ) en la que se conectan el drenaje y la fuente, una capa de el material con el espacio más grande (AlGaAs todavía para el MODFET de AlGaAs / GaAs) fuertemente dopado (n + ) al que está conectada la puerta, una capa muy delgada de este mismo material sin dopar y una capa gruesa del primer material sin dopar.
La diferencia en el espacio y la transferencia de cargas de las zonas dopadas a las zonas no dopadas crea en la interfaz de la heterounión un pozo cuántico (2-DEG - o gas bidimensional de electrones) en el que los electrones tienen una gran movilidad. Este canal de 2 DEG tiene, dependiendo del voltaje aplicado a la puerta, un primer nivel de energía cuantificada ya sea por encima o por debajo del nivel de Fermi y, por lo tanto, está poblado o desprovisto de electrones.