El eDRAM (o e mBedded D ynamic R andom A ccess M emory) ( incrustado DRAM en francés) es un tipo de memoria DRAM basados condensadores integrados en el mismo sistema que ASIC ( circuito integrado de aplicación específica o francés circuito integrado de aplicación específica ) o procesador . Esta memoria difiere de la memoria DRAM estándar donde solo la función de memoria está presente en el chip. El costo por bit de dicha memoria es mayor que el costo de la memoria DRAM estándar, pero en muchas aplicaciones las ventajas de colocar la memoria en el mismo circuito que el procesador superan los costos adicionales.
Colocar la memoria en el mismo circuito que el ASIC o el procesador permite utilizar un bus mucho más grande y permite velocidades de funcionamiento más altas. Además, debido a la mayor densidad de la memoria eDRAM en comparación con la memoria SRAM, la memoria eDRAM permite una mayor cantidad de memoria por unidad de área. La memoria EDRAM requiere más pasos de fabricación que la SRAM, lo que aumenta el costo. Por otro lado, el ahorro de espacio, que es del orden de un factor de 3, compensa los costes de fabricación cuando se utiliza una gran cantidad de memoria.
EDRAM, como todas las DRAM, debe actualizarse periódicamente, lo que aumenta la complejidad de los circuitos que lo rodean. Por otro lado, si el controlador de reescritura está integrado en el mismo circuito que la memoria eDRAM, el resto del circuito ASIC o del circuito procesador puede tratar la memoria eDRAM como una simple memoria SRAM como en el caso de la memoria 1T-SRAM. .
La memoria eDRAM se utiliza en los procesadores POWER7 d.IBM como tapa L3, el procesador Haswell de Intel con el procesador Graphics GT3e en varias consolas de juegos (incluida la PlayStation 2 de Sony , la PlayStation Portable de Sony , la GameCube de Nintendo , la Wii de Nintendo , la Wii U de Nintendo y la Xbox 360 de Microsoft ) y otros equipos (incluido el iPhone de Apple y Zune HD de Microsoft ).